申请/专利权人：ASM IP私人控股有限公司

申请日：2022-11-21

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169097A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20211124 US 63/283,163"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：公开了用于沉积SiOC和SiOCN膜的方法。示例性方法利用包含碘和醇盐的前体，并且可以用于使用无氧PEALD形成低k间隔物。

主权项：1.一种在衬底表面上沉积材料的方法，包括：在反应室内提供衬底；在反应室内提供由包含硅、至少一个碘和至少一个包括碳和氧的官能团的化学式表示的前体；以及在反应室内提供等离子体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASM IP私人控股有限公司 形成SiOC和SiOCN低k间隔物的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD