申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-07-08

公开（公告）日：2019-11-26

公开（公告）号：CN110506334A

主分类号：H01L27/11565(20170101)

分类号：H01L27/11565(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.29#授权;2019.12.20#实质审查的生效;2019.11.26#公开

摘要：用于形成三维存储器件的方法包括：在第一衬底的第一侧上形成外围电路，所述外围电路包括第一外围器件和第二外围器件、第一互连层和在第一外围器件和第二外围器件之间的浅沟槽隔离STI结构；以及在第二衬底上形成包括多个存储单元和第二互连层的存储阵列。方法包括：将第一互连层和第二互连层键合以及形成穿过第一衬底并且暴露STI结构的一部分的隔离沟槽。通过第一衬底的与第一侧相对的第二侧来形成隔离沟槽。方法包括：布置隔离材料，以在隔离沟槽中形成隔离结构，以及执行平坦化工艺以移除隔离材料的布置在第一衬底的第二侧上的部分。

主权项：1.一种用于形成三维存储器件的方法，包括：在第一衬底的第一侧上形成外围电路，所述外围电路包括第一外围器件和第二外围器件、第一互连层、和在所述第一外围器件和第二外围器件之间的浅沟槽隔离STI结构；在第二衬底上形成包括多个存储单元和第二互连层的存储阵列；将所述第一互连层和所述第二互连层键合；形成穿过所述第一衬底并且暴露所述STI结构的一部分的隔离沟槽，其中，所述隔离沟槽被形成为穿过所述第一衬底的与所述第一侧相对的第二侧；布置隔离材料以在所述隔离沟槽中形成隔离结构；以及执行平坦化工艺以移除所述隔离材料的被布置在所述第一衬底的所述第二侧上的部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有深隔离结构的三维存储器件

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