申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-24

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112687700B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.05.07#实质审查的生效;2021.04.20#公开

摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成叠层结构，并在叠层结构中形成沟道孔；在沟道孔内依次形成功能层和沟道层；以及在沟道层掺杂杂质，以使杂质的掺杂浓度在沟道层中从靠近衬底的底部向与底部相对的顶部逐渐增大。根据该制备方法，可提高三维存储器的存储单元的编程擦除速度的一致性，并使三维存储单元具有较窄的阈值电压，可有效地提高三维存储器的性能。

主权项：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成叠层结构，并在所述叠层结构中形成沟道孔；在所述沟道孔内依次形成功能层和沟道层，其中所述沟道层包括掺杂导电杂质的晶体硅，所述杂质的掺杂浓度在所述沟道层中从靠近所述衬底的底部向与所述底部相对的顶部逐渐增大；以及在所述沟道孔的剩余空间填充包括电介质材料的沟道填充层，其中，在所述沟道孔内形成功能层的步骤包括：至少在所述沟道孔的内侧壁上形成阻挡层，其中所述阻挡层包括靠近所述衬底的底部和与所述底部相对的顶部；处理所述阻挡层以使所述阻挡层的厚度由其所述底部向其所述顶部逐渐减小；在所述阻挡层的表面形成电荷捕获层，其中所述电荷捕获层在所述沟道孔的延伸方向连续延伸；以及在电荷捕获层的表面形成隧穿层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法

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