申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-11-17

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112542465B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.04.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开

摘要：本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一叠层结构，其自下而上依次包括衬底、绝缘层、第一隔离层、牺牲层及第二隔离层；形成凹槽，其在垂直方向上贯穿第二隔离层、牺牲层、第一隔离层及绝缘层，并延伸至衬底中；形成上层导电层于第二隔离层上，上层导电层还覆盖凹槽的侧壁与底面。本发明预先形成在垂直方向上贯穿第二隔离层、牺牲层、第一隔离层及绝缘层并延伸至衬底中的凹槽，再形成上层导电层，其中，上层导电层不仅位于第二隔离层上，还覆盖凹槽的侧壁以与衬底连接，从而实现绝缘层上的导电层与衬底之间的导通，实现接地需求，防止三维存储器制作过程中因静电积累导致电性击穿或其它影响而损坏器件。

主权项：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一叠层结构，所述叠层结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、第一隔离层、牺牲层及第二隔离层；形成凹槽，所述凹槽在垂直方向上贯穿所述第二隔离层、所述牺牲层、所述第一隔离层及所述绝缘层，并延伸至所述衬底中；形成上层导电层于所述第二隔离层上，所述上层导电层还覆盖所述凹槽的侧壁与底面；形成绝缘填充层于所述凹槽中；形成第一接触部，所述第一接触部在垂直方向上贯穿所述绝缘填充层的顶面；去除所述衬底及所述上层导电层位于所述衬底中的部分以暴露出所述绝缘填充层；形成背面介质层于所述绝缘层下方，所述背面介质层覆盖所述上层导电层及所述绝缘填充层的底面；形成第二接触部，所述第二接触部在垂直方向上贯穿所述背面介质层，并延伸进所述绝缘填充层中，所述第二接触部的侧壁与所述上层导电层之间间隔预设距离，所述第二接触部的一端与所述第一接触部连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种三维存储器及其制作方法

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