申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2010-09-28

公开（公告）日：2020-03-24

公开（公告）号：CN110908203A

主分类号：G02F1/1368(20060101)

分类号：G02F1/1368(20060101);G09G3/36(20060101);H01L27/12(20060101);H01L29/786(20060101)

优先权：["20091016 JP 2009-238916","20091201 JP 2009-273913","20091208 JP 2009-278999"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2020.04.17#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要：本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

主权项：1.一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 显示设备

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