申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2017-09-18

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110945536A

主分类号：G06N10/00(20190101)

分类号：G06N10/00(20190101);B82Y10/00(20110101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.20#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本公开的实施例提出量子位衬底以及其制造方法和相关装置组件。在本公开的一个方面中，量子位衬底包括掺杂半导体材料的基础衬底，以及在基础衬底上的基本本征半导体材料的层。以这种方式设计量子位衬底允许改进其上提供的量子位的相干时间，然而同时是足够机械稳健的，使得它可以有效地用于大规模制造。

主权项：1.一种量子电路组件，包括：衬底；以及在所述衬底上或在所述衬底中的多个量子位，其中，所述衬底包括掺杂半导体材料的基础衬底和在所述基础衬底上的本征半导体材料的层，所述掺杂半导体材料具有每立方厘米至少1∙1014原子（原子∙cm-3）的掺杂剂浓度，所述本征半导体材料具有小于1∙1012原子∙cm-3的掺杂剂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 用于量子位的衬底设计

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