申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2019-08-06
公开(公告)日:2020-05-22
公开(公告)号:CN111190331A
主分类号:G03F7/40(20060101)
分类号:G03F7/40(20060101);G03F7/30(20060101);G03F7/32(20060101)
优先权:["20181114 KR 10-2018-0139730"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.01.05#实质审查的生效;2020.05.22#公开
摘要:公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法,该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。
主权项:1.一种基底干燥方法,所述基底干燥方法包括:在基底上提供干燥液体;增大干燥液体的压力以产生超临界流体;以及去除超临界流体以干燥基底。
全文数据:
权利要求:
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