申请/专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司

申请日：2020-04-09

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111334788A

主分类号：C23C24/04(20060101)

分类号：C23C24/04(20060101);B22F1/00(20060101);C01B33/021(20060101);C01B33/03(20060101);C01B33/035(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.20#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明提供了一种多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途，涉及多晶硅生产技术装备领域，多晶硅还原炉的涂层的制备方法包括：利用第一冷气体动力喷涂在所述多晶硅还原炉与物料接触的表面喷涂第一颗粒形成基层；利用第二冷气体动力喷涂在所述基层远离所述多晶硅还原炉的表面喷涂第二颗粒形成面层，其中，所述第一冷气体动力喷涂的第一颗粒的速度和所述第二冷气体动力喷涂的第二颗粒的速度均为超音速，且所述第一颗粒的速度大于所述第二颗粒的速度；所述基层和所述面层适于反射红外辐射。形成基层的第一颗粒的喷涂速度较高，基层与多晶硅还原炉的表面结合强度较强，形成面层的第二颗粒的喷涂速度较低，利于降低涂层喷涂成本。

主权项：1.一种多晶硅还原炉的涂层的制备方法，其特征在于，包括：利用第一冷气体动力喷涂在所述多晶硅还原炉与物料接触的表面喷涂第一颗粒形成基层；利用第二冷气体动力喷涂在所述基层远离所述多晶硅还原炉的表面喷涂第二颗粒形成面层，其中，所述第一冷气体动力喷涂的第一颗粒的速度和所述第二冷气体动力喷涂的第二颗粒的速度均为超音速，且所述第一颗粒的速度大于所述第二颗粒的速度；所述基层和所述面层适于反射红外辐射。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 多晶硅还原炉的涂层及其制备方法、多晶硅还原炉及其用途

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