申请/专利权人：LG伊诺特有限公司

申请日：2018-10-22

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111373564A

主分类号：H01L51/56(20060101)

分类号：H01L51/56(20060101);H01L51/00(20060101);G03F7/20(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：["20171116 KR 10-2017-0152746"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：实施方式涉及一种用于制造用于沉积OLED像素的沉积掩模的方法，该方法包括以下步骤：准备金属板；在金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层，并且通过对第一光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第一光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第一光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而在金属板的所述一个表面上形成第一凹槽；在金属板的与所述一个表面相反的另一表面上设置第二光致抗蚀剂层，并且通过对第二光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第二光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第二光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而形成连接至第一凹槽的通孔；以及通过移除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层而在金属板上形成掩模图案，其中，金属板具有由以下等式1表示的平直度值，金属板的平直度为0.006％或更小。

主权项：1.一种制造用于有机发光二极管像素沉积的沉积掩模的方法，所述方法包括：准备金属板；在所述金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层，并且通过对所述第一光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使所述第一光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的所述第一光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而在所述金属板的所述一个表面上形成第一凹槽；在所述金属板的与所述一个表面相反的另一表面上设置第二光致抗蚀剂层，并且通过对所述第二光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使所述第二光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的所述第二光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而形成连接至所述第一凹槽的通孔；以及通过移除所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层而在所述金属板上形成掩模图案，其中，所述金属板具有由以下等式1表示的平直度值，并且所述金属板的平直度为0.006％或更小，[等式1]平直度％＝dxd0*100所述平直度是基于沿所述金属板的长轴方向延伸的参考线定义的，并且所述平直度指的是在所述金属板的短轴方向上距所述参考线最远的距离dx与所述参考线的长度d0的比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： LG伊诺特有限公司 用于沉积的掩模及用于制造该掩模的方法

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