申请/专利权人：宏齐科技股份有限公司

申请日：2018-03-29

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN108709100B

主分类号：F21S2/00(20160101)

分类号：F21S2/00(20160101);F21V7/06(20060101);F21V19/00(20060101);F21V8/00(20060101);F21Y115/10(20160101)

优先权：["20170330 TW 106110658"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.03#授权;2018.11.20#实质审查的生效;2018.10.26#公开

摘要：本发明提供一种发光装置，其包括一侧发光组件、一环设于所述侧发光组件之周侧之反射杯及一封装所述侧发光组件和所述反射杯之封装体。所述侧发光组件具有一侧面，其包括一发光晶片、一包覆于所述发光晶片之波长转换层及一设置于所述波长转换层之上方之反射层。所述反射杯具有面向所述侧发光组件之一内表面。所述反射杯之内表面系为多焦点抛物面。所述多焦点抛物面包括多段抛物面。各段抛物面对应之焦点对称地分布在所述侧发光组件之侧面。

主权项：1.一种发光装置，其包括：一侧发光组件，具有一侧面，其包括：一发光晶片；一波长转换层；包覆于所述发光晶片；及一反射层，设置于所述波长转换层之上方；一反射杯，环设于所述侧发光组件之周侧，所述反射杯具有面向所述侧发光组件之侧面的一内表面，所述反射杯之内表面系为多焦点抛物面，所述多焦点抛物面包括多段抛物面，所述多段抛物面包括至少三段抛物面，所述至少三段抛物面包括第一抛物面、第二抛物面和第三抛物面，各段抛物面对应之焦点对称地分布在所述侧发光组件之侧面，所述第一抛物面之焦点位于靠近所述发光晶片之底部位置，所述第三抛物面之焦点位于靠近所述波长转换层之顶部位置，且所述第二抛物面之焦点位于所述第一抛物面之焦点和所述第三抛物面之焦点连成之线段之中间位置；及一封装体，封装所述侧发光组件和所述反射杯。

全文数据：发光装置技术领域[0001]本发明是涉及一种发光装置。背景技术[0002]目前，生活上已经可以看到各式各样之发光二极体管商品之应用，例如手电筒、投影仪、闪光灯、或投射灯等。这些发光二极体商品往往需要缩小发光二极体之出光角度，以使发光二极体发出之光线较为集中。传统之发光二极体之出光角度大致为120度，其出光角度较大。其发光二极体通常搭配反射镜结构来缩小出光角度，然而反射镜结构之介入易造成发光二极体商品之整体体积增大而不易携带，且发光二极体与反射镜结构在组装时存在对位不准确而导致发光二极体发出之光线不集中。[0003]改进发光二极体商品中之反射结构以减小发光二极体商品之体积及解决对位问题。例如，发光二极体商品主要通过在发光二极体之周侧环设呈抛物面之反射结构。然，由于发光二极体不系理想之点光源，而系一平面光源或系一体光源，因此，具有单一焦点之抛物面之反射结构仍不能很好地改善出光角度，且其聚光能力仍然有限。发明内容[0004]鉴于以上内容，本发明之一目的，在于提供一种薄型、小出光角度且光线照射集中之发光装置。[0005]本发明提供一种发光装置，其包括：[0006]—侧发光组件，具有一侧面，其包括：[0007]—发光晶片；[0008]—波长转换层;包覆于所述发光晶片;及[0009]—反射层，设置于所述波长转换层之上方；[0010]—反射杯，环设于所述侧发光组件之周侧，所述反射杯具有面向所述侧发光组件之侧面的一内表面，所述反射杯之内表面系为多焦点抛物面，所述多焦点抛物面包括多段抛物面，各段抛物面对应之焦点对称地分布在所述侧发光组件之侧面;及[0011]一封装体，封装所述侧发光组件和所述反射杯。[0012]在一实施例中，所述波长转换层包括面向所述反射杯之内表面的一第一外侧面，所述侧发光组件之侧面位于所述波长转换层之第一外侧面。[0013]在一实施例中，所述侧发光组件还包括一导光层，所述导光层包括面向所述反射杯之内表面的一第二外侧面，所述侧发光组件之侧面位于所述导光层之第二外侧面。[0014]在一实施例中，所述导光层设置于所述反射层和所述波长转换层之间，且所述导光层包覆所述波长转换层。[0015]在一实施例中，所述导光层设置于所述发光晶片和所述波长转换层之间，且所述导光层包覆所述发光晶片。[0016]在一实施例中，所述反射层之材料包括二氧化钛、二氧化锡或二氧化锆。[0017]在一实施例中，所述反射杯之内表面系由一镜面反射材料制成。[0018]在一实施例中，所述镜面反射材料为金属材料，所述金属材料包括金、银、铝、铬、铜、锡或镍。[0019]在一实施例中，所述侧发光组件具有复数个发光点，所述多段抛物面之焦点系为所述侧发光组件对应的发光点。[0020]在一实施例中，各段抛物面之焦距自远离所述发光晶片的方向逐渐增加。[0021]在一实施例中，所述侧发光组件具有一对称平面，所述多段抛物面对应的焦点对称地分布在所述对称平面与所述侧发光组件之侧面的相交在线。[0022]在一实施例中，所述侧发光组件具有一中心轴线，所述多段抛物面对应之焦点于所述侧发光组件的侧面围绕所述中心轴线呈对称分布。[0023]在一实施例中，相邻之抛物面呈对称分布。[0024]在一实施例中，各多段抛物面之间平滑过渡，且各段抛物面之间系一体成型。[0025]在一实施例中，所述多段抛物面包括至少三段抛物面，所述至少三段抛物面包括第一抛物面、第二抛物面和第一抛物面。[0026]在一实施例中，所述第一抛物面之焦点位于靠近所述发光晶片的底部位置，所述第三抛物面之焦点位于靠近所述波长转换层之顶部位置，且所述第二抛物面之焦点位于所述第一抛物面的焦点和所述第三抛物面的焦点连成之线段的中间位置。[0027]在一实施例中，所述封装体包括一出光面，所述出光面系平面、椭圆弧面或半圆弧面。[0028]在一实施例中，所述封装体包括一第一导光件和一第二导光件形成在所述第一导光件之上方。第一导光件封装所述测发光组件和所述反射杯。[0029]在一实施例中，所述第一导光件包括一第一出光面，所述第一出光面为平面。所述第一导光件包括一第二出光面，所述第二出光面为椭圆弧面或半圆弧面。[0030]在一实施例中，所述第一出光面至所述第二出光面之顶点之高度为a，所述第一出光面之宽度为b，其中，ba的值的范围为1.4=baf2。[0031]相较于现有技术，本发明之发光装置通过对反射杯设有多焦点抛物面结构，并且将所述反射杯结构与侧发光组件组合运用，并使所述多焦点抛物面对应之焦点对称地分布在所述侧发光组件之侧面。由于大部分之光线经由所述侧发光组件之侧面射出，故反射杯所需之长度能够减小，从而实现薄型发光装置。此外，由于所述反射杯的多焦点抛物面结构，故所述发光装置能够缩小所述发光晶片发出之光线之发散角度，且所述光线能够集中照射。附图说明[0032]本发明将以例子的方式结合附图进行说明。[0033]图1系本发明第一实施例中之发光装置之示意图，其中，所述发光装置包括一侧发光组件和一反射杯。[0034]图2A系本发明第一实施例中之侧发光组件之第一种实施方式的示意图。[0035]图2B系本发明第一实施例中之侧发光组件之第二种实施方式的示意图。[0036]图2C系本发明第一实施例中之侧发光组件之第三种实施方式的示意图。[0037]图2D系本发明第一实施例中之侧发光组件之第四种实施方式的示意图。[0038]图3系本发明第一实施例中之侧发光组件和反射杯的透视图。[0039]图4系本发明第一实施例中之发光装置的光线路径示意图。[0040]图5系本发明第二实施例中之发光装置的示意图。[0041]图6系本发明第三实施例中之发光装置的示意图。[0042]图7系本发明第四实施例中之发光装置的示意图。[0043]图8系本发明第一实施例中之发光装置的出光角度测试图。[0044]主要元件符号说明[0045][0046][0047]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式[0048]为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现结合附图详细说明本发明的具体实施方式。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。[0049]请参阅图1，其为本发明的第一实施例之发光装置100之示意图。所述发光装置100包括一侧发光组件10、一反射杯20及一封装体30。所述反射杯20环设于所述侧发光组件10之周侧。所述封装体30封装所述侧发光组件10和所述反射杯20。[0050]所述侧发光组件10具有一侧面101和一中心轴线A1。所述中心轴线Al与所述侧面101平行。所述发光晶片10的侧面101系一镜面对称图形。所述侧面101环绕所述中心轴线Al呈对称分布，因此，所述发光晶片11发出之光线能够更均匀地朝所述侧发光组件10之侧面101射出。所述侧发光组件10之侧面101具有复数个发光点。[0051]请一并参阅图2A至图2D，展示了本发明第一实施例中之发光装置100之侧发光组件10之第一实施方式至第四实施方式的示意图。请参阅图2A，在第一实施方式中，所述侧发光组件10包括一发光晶片11、一波长转换层12及一反射层13。所述波长转换层12包覆所述发光晶片11，所述反射层13设置在所述波长转换层12之上方。[0052]所述发光晶片11选自水平式发光二极体、垂直式发光二极体或覆晶式发光二极体中一种。可以理解的，所述发光晶片11之使用可以依使用者之需求进行替换。[0053]在本实施例中，所述发光晶片11为覆晶式发光二极体。所述发光晶片11系以一平面发光源发射光线，所述发光平面包括所述发光晶片11之第一发光面112及第二发光面113〇[0054]所述发光晶片11包括一底面111、正对所述底面111的一第一发光面112和连接所述底面111与所述第一发光面112的一第二发光面113。所述第二发光面113自所述第一发光面112的周缘朝靠近所述发光晶片11之底面111方向延伸。[0055]自所述发光晶片11之底面111相对之两侧垂直向下凸设两连接块1111。所述两连接块1111用于将所述发光晶片11与一外部电源图中未示进行电性连接。[0056]所述波长转换层12用于将所述发光晶片11发出之光线转换为特定之波长。可以理解的，所述波长转换层12可以依使用者之需求进行光线波长调整。[0057]在本实施例中，所述波长转换层12设置在所述发光晶片11之第一发光面112上，且包覆所述发光晶片11之第二发光面113。因此，所述发光晶片11发出的光线能够转变成特定的波长。[0058]所述波长转换层12包括一顶面121和连接所述顶面121的第一外侧面122。所述第一外侧面122自所述顶面121的周缘朝靠近所述发光晶片11之方向延伸。所述波长转换层12之第一外侧面122与所述发光晶片11之第二发光面113相对。[0059]在本实施例中，所述波长转换层12之第一外侧面122平行于所述发光晶片11的第二发光面113。所述侧发光组件10之侧面101位于所述波长转换层12的第一外侧面122。所述反射层13设置在所述波长转换层12之顶面121。[0060]所述反射层13所使用之材料例如是，但不局限于，二氧化钛（Ti02、二氧化锡Si02或二氧化锆Zr02。[0061]可以理解的，所述发光晶片11发出之光线大部分经由所述反射层13反射，再经由所述波长转换层12之第一外侧面122射出光线。所述发光晶片11发出之光线少部分经由所述反射层13直接向所述侧发光组件10的外部射出，其约占20%之所述发光晶片11发出的发光量。此外，所述发光晶片11发出之光线少部分直接经由所述发光晶片11的第二发光面113朝所述波长转换层12的第一外侧面122射出。由于大部分之光线经由所述第一外侧面122朝所述侧发光组件10之外部射出，因此，可缩小反射杯20所需之长度，从而实现薄型发光装置。[0062]本发明通过采用所述侧发光组件10替换传统的发光二极体，所述封装体30的厚度可以减少30-50%，故运用所述侧发光组件10能够实现发光装置100的薄型化。[0063]请参阅图2B，在第二实施方式中，本实施例提供之侧发光组件IOA与第一实施方式之结构基本一致。所述侧发光组件IOA包括一发光晶片11A、一波长转换层12A及一反射层13A。所述发光晶片11A、所述波长转换层12A及所述反射层13A与所述第一实施方式之结构一致，在此不再赘述。不同的是，所述侧发光组件IOA还包括一导光层14A，所述导光层14A设置在所述反射层13A和所述波长转换层12A之间。[0064]所述导光层14A包括一顶面141A和连接所述顶面141A之第二外侧面142A。所述第二外侧面142A自所述顶面141A的周缘朝靠近所述发光晶片11之方向延伸。所述导光层14A之第二外侧面142A与所述波长转换层12A之第一外侧面122A相对。[0065]在本实施例中，所述导光层14A之第二外侧面142A平行于所述波长转换层12A之第一外侧面122A。所述反射层13A设置在所述导光层14A之顶面141A上，且所述导光层14A包覆所述波长转换层12A之顶面121A和第一外侧面122A。所述侧发光组件IOA之侧面IOlA位于所述导光层14A之第二外侧面142A。[0066]所述导光层14A所使用之材料例如是，但不局限于，硅胶。本领域技术人员能够理解，这里不限于硅胶，其他可以实现引导所述发光晶片IlA发出之光线，且具有高透明度之透光材料也可以用于本发明。所述导光层14A可用于引导所述发光晶片IlA发出之光线到达默认之位置，进而调节所述光线之照射范围。[0067]请参阅图2C，在第三实施方式中，本实施例提供之侧发光组件IOB与第一实施方式之结构基本一致。所述侧发光组件IOB包括一发光晶片11B、一波长转换层12B及一反射层13B。所述发光晶片11B、所述波长转换层12B及所述反射层13B与所述第一实施方式之结构一致，在此不再赘述。不同的是，所述侧发光组件IOB还包括一导光层14B。所述导光层14B设置在所述发光晶片IlB和所述波长转换层12B之间。[0068]所述导光层14B包括一顶面141B和连接所述顶面141B的第二外侧面142B。所述第二外侧面142B自所述顶面141B的周缘朝靠近所述发光晶片IlB之方向延伸。所述导光层14B之第二外侧面142B位于所述发光晶片IlB之第二发光面113B和所述波长转换层12B之第一外侧面122B之间。[0069]在本实施例中，所述导光层14B之第二外侧面142B分别平行于所述发光晶片IlB之第二发光面113B及所述波长转换层12B之第一外侧面122B。所述波长转换层12B包覆所述导光层14B之顶面141B和第二外侧面142B。所述导光层14B包覆所述发光晶片IlB之第一发光面112B和第二发光面113B。所述侧发光组件IOB之侧面IOlB位于所述波长转换层12B之第一外侧面122B。[0070]所述导光层14B所使用之材料例如是，但不局限于，硅胶。本领域技术人员能够理解，这里不限于硅胶，其他可以实现引导所述发光晶片IlB发出之光线，且具有高透明度之透光材料也可以用于本发明。所述导光层14B可用于引导所述发光晶片IlB发出之光线到达默认之位置，进而调节所述光线之照射范围。[0071]请参阅图2D，在第四实施方式中，本实施例提供之侧发光组件IOC与第一实施方式之结构基本一致。所述侧发光组件IOC包括一发光晶片11C、一波长转换层12C及一反射层13C。所述发光晶片11C、所述波长转换层12C及所述反射层13C与所述第一实施方式之结构一致，在此不再赘述。不同的是，所述侧发光组件IOC还包括一导光层14C，所述导光层14C设置在所述发光晶片11C之发光面113C上。[0072]所述导光层14C包括一顶面141C和连接所述顶面141C之第二外侧面142C。所述第二外侧面142C自所述顶面141C的周缘朝靠近所述发光晶片IlC之方向延伸。所述导光层14C之第二外侧面142C与所述发光晶片IlC之第二发光面113C齐平，且与所述波长转换层12C之第一外侧面122C相对。[0073]在本实施例中，所述导光层14C之第二外侧面142C平行于所述波长转换层12C之第一外侧面122C。所述波长转换层12C包覆所述发光晶片IlC之第二发光面113C，所述导光层14C之顶面141C和第二外侧面142C。所述侧发光组件IOC之侧面IOlC位于所述波长转换层12C之第一外侧面122C。[0074]所述导光层14C所使用之材料例如是，但不局限于，硅胶。本领域技术人员能够理解，这里不限于硅胶，其他可以实现引导所述发光晶片IlC发出之光线，且具有高透明度之透光材料也可以用于本发明。所述导光层14C可用于引导所述发光晶片IlC发出之光线到达默认之位置，进而调节所述光线之照射范围。[0075]请参阅图3,在本实施例中，所述侧发光组件10具有一第一对称平面Pl和一第二对称平面P2,所述第一对称平面Pl与所述第二对称平面P2相互垂直。所述中心轴线Al为所述第一对称平面Pl与所述第二对称平面P2之间的相交线。[0076]所述反射杯20系为一具有多焦点抛物面之碗形体。所述反射杯20之横截面之宽度自远离所述发光晶片11之方向逐渐增加，以提高所述发光装置100之出光效率。[0077]所述反射杯20具有面向所述侧发光组件10之侧面101的一内表面21。所述反射杯20之内表面21系由镜面反射材料制成。所述镜面反射材料为金属材料。所述金属材料例如是，但不局限于，金、银、错、铬、铜、锡或镍等。[0078]所述内表面21包括多段抛物面210。所述多段抛物面210具有复数个焦点。所述复数个焦点对称地且间隔地排列，也即所述复数个焦点互不交迭。所述复数个焦点均落在所述侧发光组件10的侧面101。[0079]优选的，所述多段抛物面210之复数个焦点对称地分布在所述侧发光组件10之侧面101与所述对称平面的相交线上。因此，所述发光装置100发出的光线能够均匀地朝外部照射。[0080]在本实施例中，所述多段抛物面210之复数个焦点对称地分布于所述发光晶片10之侧面101与所述第一对称平面Pl的相交在线，和或所述发光晶片10之侧面101与所述第二对称平面P2的相交在线。[0081]可以理解的，各段抛物面210之焦距自远离所述发光晶片11之方向逐渐增加，以实现较好之聚光效果。[0082]可以理解的，所述多段抛物面210之焦点系为所述侧发光组件10之发光点。因此，所述发光晶片11发出的光线经由所述反射杯20之多段抛物面210反射后，可以得到较好之聚光效果。[0083]请一并参阅图3及图4,各段抛物面210自所述对称平面之纵切面具有两对称之焦点和两对称之焦距。所述多段抛物面210对应的焦点于所述侧发光组件10的侧面101围绕所述中心轴线Al呈对称分布。所多段抛物面210对应的焦点于所述侧发光组件10的侧面10沿所述中心轴线Al的方向分别呈线性排列。具体地，所多段抛物面210对应的各焦点于面向所述反射杯20的两侧分别形成一直线。所述多段抛物面210自远离所述侧发光组件10方向的焦距互不相同。相邻之抛物面210呈对称分布，且各多段抛物面210之间平滑过渡。各段抛物面210之间系一体成型。[0084]优选的，所述内表面21包括至少三段抛物面210。所述至少三段抛物面210包括一第一抛物面211、一第二抛物面212和一第三抛物面213。所述第一抛物面211、所述第二抛物面212和所述第三抛物面213自远离所述发光晶片11之方向依次平滑过渡地布置。所述第一抛物面211所述第二抛物面212和所述第三抛物面213以所述中心轴线Al呈对称分布。[0085]在本实施例中，所述第一抛物面211自所述第一对称平面Pl或第二对称平面P2的纵切面具有两对称之焦点Fl和两对称之焦距Ll，所述第二抛物面212自所述第一对称平面Pl或第二对称平面P2的纵切面具有两对称之焦点F2和两对称之焦距L2,所述第三抛物面213自所述第一对称平面Pl或第二对称平面P2的纵切面具有两对称之焦点F3和两对称之焦距L3,其中，焦距L3焦距L2焦距L1。所述焦点F1、F2及F3均落在所述波长转换层12之第一外侧面122与所述第一对称平面Pl和所述第二对称平面P2的相交在线，且所述焦点F1、F2及F3呈线性排列，也即所述焦点F1、F2及F3连接成一条直线。所述直线与所述侧发光组件10的中心轴线Al平行。[0086]在一实施方式中，所述焦点Fl位于靠近所述发光晶片11之底部位置;所述焦点F3位于靠近所述波长转换层12之顶部位置;且所述焦点F2位于所述焦点1和所述焦点2连成之线段之中间位置。因此，所述发光晶片11发出之光线从所述波长转换层12之第一外侧面122射出后朝所述反射杯20之多焦点抛物面照射，经反射之所述光线之出光角度会变小。[0087]在另一实施方式中，所述焦点Fl位于靠近所述发光晶片IlB之底部位置;所述焦点F3位于靠近所述导光层14B之顶部位置;且所述焦点F2位于所述焦点1和所述焦点2连成之线段之中间位置。因此，所述发光晶片IlB发出之光线从所述波长转换层12B之第一外侧面122B射出后朝所述反射杯20之多焦点抛物面照射，经反射之所述光线之出光角度会变小。[0088]所述发光装置100的出光角度小于20度。[0089]可以理解的，所述多段抛物面210之形状按照发光晶片11之位置不同和多出光不同要求来计算设计。所述多段抛物面210对应之焦点呈中性对称，且所述侧发光组件10设置在所述多段抛物面210对应之焦点的对称中心位置，以使所述多段抛物面210对应之焦点落在所述侧发光组件10的侧面101。[0090]进一步地，可以根据反射杯20之形状选择合适之大小和形状的发光晶片11，从而使得光照更加均匀，并且充分利用。可以根据发光晶片11之形状来选择具有不同多段抛物面210,调节所需之多段抛物面210之长短和开口，以使出射光达到更好之照明效果。[0091]所述封装体30包覆所述侧发光组件10及所述反射杯20。所述封装体30系为一导光件。在本实施例中，所述封装体30填充于所述反射杯20的两侧，并将所述侧发光组件10和所述反射杯20密封形成一特定的形状，例如长方体、正方体。[0092]所述封装体30用于固定所述侧发光组件10和所述反射杯20及调整所述侧发光组件10和所述反射杯20之相对位置。换句话说，所述反射杯20经由所述封装体30设置在一预先设定的位置，以使所述多段抛物面210对应之焦点落在所述侧发光组件10的侧面101。所述封装体30还可用于引导所述发光晶片11发出之光线到达默认之位置，进而调节所述光线之照射范围。[0093]所述封装体30所使用之材料例如是，但不局限于，硅胶。本领域技术人员能够理解，这里不限于硅胶，其他可以实现密封所述侧发光组件10和所述反射杯20,且具有高透明度之透光材料也可以用于本发明。[0094]所述封装体30的顶部设有一面向所述发光晶片11之发光面113的出光面301。[0095]为了进一步提高所述发光装置100之出光效率，所述出光面301例如是，但不局限于，平面、椭圆弧面或半圆弧面。[0096]优选的，所述出光面301为椭圆弧面或半圆弧面，以使所述发光晶片11发出且未接触所述反射杯20之光线发生折射，从而能够使所述发光装置100发出之光线更为集中。[0097]可以理解的，所述封装体30之出光面301的底部与所述反射杯20的顶部齐平或是高于所述反射杯20的顶部。因此，所述发光晶片11发出的光线能够通过所述封装体30准确地到达所述反射杯20的多段抛物面210的默认位置，从而使得所述发光装置100出射的光更集中。所述反射杯20和所述侧发光组件10经由所述封装体30封装，从而实现所述反射杯20与所述侧发光组件10之间的准确对位。[0098]在本实施例中，所述出光面301为一平面，所述出光面210与所述反射杯20的顶部齐平，以进一步实现所述发光装置100的小型化。[0099]请参阅图4,本发明提供之发光装置100的光线路径图。所述发光晶片11发出之光线经由所述侧发光组件10之反射层13反射后，经反射之光线从所述波长转换层12之第一外侧面122朝所述反射杯20之内表面21射出，随后所述光线再经由所述反射杯20之多段抛物面210反射后，出光角度会变小，经反射之光线从所述封装体30之出光面301射出。因此，所述发光装置100能够缩小所述发光晶片11发出之光线之发散角度，且所述光线能够集中照射。[0100]请参阅图5,其为本发明之第二实施例之发光装置200之示意图。本实施例提供之发光装置200与第一实施例之结构基本一致。所述发光装置200包括一侧发光组件10、一反射杯20及一封装体30。所述侧发光组件10、所述反射杯20和封装体30与所述第一实施例之结构基本一致，在此不再赘述。不同的是，所述封装体30之出光面301为一半圆弧面。[0101]所述半圆弧面之底部为所述反射杯20的顶部齐平。所述半圆弧面之底部至所述半圆弧面之顶点的度高度为a，所述半圆弧面之底部的宽度为b，其中，ba为2。[0102]可以理解的，在本实施例中，所述侧发光组件10适用于第一实施例中的侧发光组件10的第一实施方式至第四实施方式或其组合变化。[0103]请参阅图6,其为本发明之第三实施例之发光装置300之示意图。本实施例提供之发光装置300与第一实施例之结构基本一致。所述发光装置300包括一侧发光组件10、一反射杯20及一封装体30。所述侧发光组件10、所述反射杯20和封装体30与所述第一实施例之结构基本一致，在此不再赘述。不同的是，所述封装体30之出光面301为一半椭圆弧面。[0104]所述半椭圆弧面之底部与所述反射杯20的顶部齐平。所述半椭圆弧面之底部至所述半椭圆弧面之顶点的高度为a，所述半椭圆弧面之底部的宽度为b，其中，ba的值介为1.4至2之间（1.4兰ba〈2。[0105]可以理解的，在本实施例中，所述侧发光组件10适用于第一实施例中的侧发光组件10的第一实施方式至第四实施方式或其组合变化。[0106]请参阅图7,其为本发明之第四实施例之发光装置400之示意图。本实施例提供之发光装置400与第一实施例之结构基本一致。所述发光装置400包括一侧发光组件10、一反射杯20及一封装体30。所述侧发光组件10、所述反射杯20和封装体30与所述第一实施例之结构基本一致，在此不再赘述。不同的是，所述封装体30包括一第一导光件31和一第二导光件32,且所述第二导光件32设置在所述第一导光件31之上方。[0107]所述第一导光件31包括一第一出光面311。所述第一出光面311例如是，但不局限于一平面。[0108]所述第二导光件32包括一第二出光面321，所述第二出光面321的两对对应连接所述第一出光面311的两端。所述第二出光面321例如是，但不局限于，一半椭圆弧面或一半圆弧面。[0109]可以理解的，所述第一出光面311与所述反射杯20的顶部齐平。所述第一出光面311至所述第二出光面321之顶点的高度为a，所述第一出光面311的宽度为b，其中，ba的值介为1.4至2之间（1.4兰ba兰2。[0110]可以理解的，在本实施例中，所述侧发光组件10适用于第一实施例中的侧发光组件10的第一实施方式至第四实施方式或其组合变化。[0111]请参阅图8,本发明第一实施例中之发光装置100之出光角度测试图。本发明的发光装置100于0度和90度角度方向模拟测试出光角度，其中，0度表示测试者以所述侧发光组件10的某一侧面第一测量位置进行出光角度模拟测试，90度表示相较于第一测量位置旋转90度后进行出光角度的模拟测试。测试结果表明所述发光装置的出光角度小于20度。由于所述发光装置的出光角度缩小，故所述发光装置发射的光线更集中，从而所述发光装置100发射的光线能够照射至更远的距离。进一步的，所述发光装置可以运用于远光灯。[0112]如上面所显示和描述之实施例仅为举例。因此，许多这样之细节既未示出也未描述。尽管在前面之描述中已经阐述了本发明之许多特征和优点，连同本发明之结构和功能之细节，但系本发明仅系说明性之，并且可以在细节上进行改变，包括形状和组件排列，在本公开之原理范围内，并且包括通过在权利要求中使用之术语之广义含义建立之全部范围。因此，可以理解，上述实施例可以在权利要求书之范围内进行修改。

权利要求：1.一种发光装置，其包括：一侧发光组件，具有一侧面，其包括：一发光晶片；一波长转换层;包覆于所述发光晶片;及一反射层，设置于所述波长转换层之上方；一反射杯，环设于所述侧发光组件之周侧，所述反射杯具有面向所述侧发光组件之侧面的一内表面，所述反射杯之内表面系为多焦点抛物面，所述多焦点抛物面包括多段抛物面，各段抛物面对应之焦点对称地分布在所述侧发光组件之侧面;及一封装体，封装所述侧发光组件和所述反射杯。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换层包括面向所述反射杯之内表面的一第一外侧面，所述侧发光组件之侧面位于所述波长转换层之第一外侧面。3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述侧发光组件还包括一导光层，所述导光层包括面向所述反射杯之内表面的一第二外侧面，所述侧发光组件之侧面位于所述导光层之第二外侧面。4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述导光层设置于所述反射层和所述波长转换层之间，且所述导光层包覆所述波长转换层。5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述导光层设置于所述发光晶片和所述波长转换层之间，且所述导光层包覆所述发光晶片。6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述反射层之材料包括二氧化钛、二氧化锡或二氧化锆。7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述反射杯之内表面系由一镜面反射材料制成。8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述镜面反射材料为金属材料，所述金属材料包括金、银、错、络、铜、锡或镍。9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述侧发光组件具有复数个发光点，所述多段抛物面之焦点系为所述侧发光组件对应之发光点。10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，各段抛物面之焦距自远离所述发光晶片之方向逐渐增加。11.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述侧发光组件具有一对称平面，所述多段抛物面对应的焦点对称地分布在所述对称平面与所述侧发光组件之侧面的相交在线。12.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述侧发光组件具有一中心轴线，所述多段抛物面对应的焦点于所述侧发光组件之侧面环绕所述中心轴线呈对称分布。13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，相邻之抛物面呈对称分布。14.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，各多段抛物面之间平滑过渡，且各段抛物面之间系一体成型。15.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述多段抛物面包括至少三段抛物面，所述至少三段抛物面包括第一抛物面、第二抛物面和第一抛物面。16.如权利要求15所述的发光装置，其特征在于，所述第一抛物面之焦点位于靠近所述发光晶片之底部位置，所述第三抛物面之焦点位于靠近所述波长转换层之顶部位置，且所述第二抛物面之焦点位于所述第一抛物面之焦点和所述第三抛物面之焦点连成之线段之中间位置。17.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述封装体包括一出光面，所述出光面系平面、椭圆弧面或半圆弧面。18.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述封装体包括一第一导光件和一第二导光件形成在所述第一导光件之上方，所述测发光组件和所述反射杯封装在所述第一导光件。19.如权利要求18所述的发光装置，其特征在于，所述第一导光件包括一第一出光面，所述第一出光面为平面;所述第二导光件包括一第二出光面，所述第一出光面为椭圆弧面或半圆弧面。20.如权利要求19所述的发光装置，其特征在于，所述第一出光面至所述第二出光面之顶点之高度为a，所述第一出光面之宽度为b，其中，ba的值的范围为1.4fbaf2。

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