申请/专利权人：晶元光电股份有限公司

申请日：2014-07-25

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111430511A

主分类号：H01L33/00(20100101)

分类号：H01L33/00(20100101);H01L21/78(20060101);H01L33/22(20100101);B23K26/38(20140101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.01.06#发明专利申请公布后的驳回;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法，其方法包含提供一发光二极管晶片，包含一基板以及一半导体叠层位于基板上，其中半导体叠层包含一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一下表面面对基板以及一上表面相对于下表面；移除部分区域的第二半导体层及活性层，并暴露出第一半导体层，以形成多个平台；提供一第一激光光束自上表面照射半导体叠层，以在多个平台表面形成多条切割线，其中多条切割线由多个平台往下延伸；以一湿式蚀刻制作工艺清洁发光二极管晶片；形成一电极在半导体叠层上；提供一第二激光光束聚焦基板内部，在基板中形成一或多条粗化痕；以及分离发光二极管晶片形成多个发光二极管管芯。

主权项：1.一种发光元件制造方法，包含：提供发光二极管晶片，包含基板以及半导体叠层位于该基板上，其中该半导体叠层包含第一半导体层、一活性层、第二半导体层、下表面面对该基板以及上表面相对于该下表面；移除部分区域的该第二半导体层及该活性层，并暴露出该第一半导体层，以形成多个平台；提供第一激光光束自该上表面照射该半导体叠层，以在该多个平台表面形成多条切割线，其中该多条切割线由该多个平台往下延伸；以湿式蚀刻制作工艺清洁该发光二极管晶片；形成电极在该半导体叠层上；提供第二激光光束聚焦该基板内部，在该基板中形成一或多条粗化痕；以及分离该发光二极管晶片形成多个发光二极管管芯。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法

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