申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2019-12-23

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446237A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101)

优先权：["20190116 US 16/249,553"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.07.01#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.07.24#公开

摘要：本发明涉及半导体器件及用于生产半导体器件的方法。在总体方面，半导体器件可包括第一导电类型的重掺杂衬底、设置在重掺杂衬底上的第二导电类型的轻掺杂外延层，以及设置在轻掺杂外延层上的第二导电类型的重掺杂外延层。重掺杂外延层可具有大于轻掺杂外延层的掺杂浓度的掺杂浓度。重掺杂衬底的至少一部分可包括在齐纳二极管的第一端子中，并且轻掺杂外延层的至少一部分和重掺杂外延层的至少一部分可包括在齐纳二极管的第二端子中。半导体器件还可包括端接沟槽，该端接沟槽延伸穿过重掺杂外延层和轻掺杂外延层，并且终止于重掺杂衬底中。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的重掺杂衬底；第二导电类型的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层设置在所述重掺杂衬底上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；以及所述第二导电类型的重掺杂外延层，所述重掺杂外延层设置在所述轻掺杂外延层上，所述重掺杂外延层具有大于所述轻掺杂外延层的掺杂浓度的掺杂浓度，所述重掺杂衬底的至少一部分包括在齐纳二极管的第一端子中，并且所述轻掺杂外延层的至少一部分和所述重掺杂外延层的至少一部分包括在所述齐纳二极管的第二端子中，所述半导体器件还包括端接沟槽，所述端接沟槽：延伸穿过所述重掺杂外延层；延伸穿过所述轻掺杂外延层；并且延伸到所述重掺杂衬底中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 半导体器件及用于生产半导体器件的方法

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