申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2019-06-11

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668295A

主分类号：H01L29/41(20060101)

分类号：H01L29/41(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：["20190308 JP 2019-042902"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.21#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：实施方式提供的能够降低噪声的耦合型场效应晶体管具备：第1导电型的第1半导体层；元件分离绝缘体，设置于第1半导体层的上层部分，划分出有源区域；第2半导体层，设置于有源区域内的第1半导体层上，为第2导电型，且第1方向的端部从元件分离绝缘体分离；源极层，设置于第2半导体层上，为第2导电型，杂质浓度比第2半导体层的杂质浓度高；漏极层，设置于第2半导体层上，在与第1方向交叉的第2方向上从源极层分离，为第2导电型，杂质浓度比第2半导体层的杂质浓度高；以及栅极层，设置于第2半导体层上，配置于源极层与漏极层之间，从源极层及漏极层分离，为第1导电型。

主权项：1.一种耦合型场效应晶体管，具备：第1导电型的第1半导体层；元件分离绝缘体，设置于上述第1半导体层的上层部分，划分出有源区域；第2半导体层，设置于上述有源区域内的上述第1半导体层上，为第2导电型，且第1方向的端部从上述元件分离绝缘体分离；源极层，设置于上述第2半导体层上，为上述第2导电型，杂质浓度比上述第2半导体层的杂质浓度高；漏极层，设置于上述第2半导体层上，在与上述第1方向交叉的第2方向上从上述源极层分离，为上述第2导电型，杂质浓度比上述第2半导体层的杂质浓度高；以及栅极层，设置于上述第2半导体层上，配置于上述源极层与上述漏极层之间，从上述源极层及上述漏极层分离，为上述第1导电型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 耦合型场效应晶体管

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