申请/专利权人:深迪半导体(上海)有限公司
申请日:2020-05-25
公开(公告)日:2020-10-13
公开(公告)号:CN111762752A
主分类号:B81B7/02(20060101)
分类号:B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);B81C3/00(20060101);G01L1/18(20060101);G01P15/12(20060101);G01P15/08(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开
摘要:本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法,所述MEMS器件是压阻式压力传感器和惯性传感器的集成器件,其中包括惯性器件层和盖体,所述结构层惯性器件层设置有惯性传感器结构;所述盖体与所述惯性器件层相连接;所述盖体设置有压阻式压力传感器结构。
主权项:1.一种MEMS器件,其特征在于,包括惯性器件层和盖体,所述结构层惯性器件层设置有惯性传感器结构;所述盖体与所述惯性器件层相连接;所述盖体设置有压阻式压力传感器结构。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深迪半导体(上海)有限公司 MEMS器件及其制造方法
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