申请/专利权人：意法半导体国际有限公司

申请日：2020-04-09

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816236A

主分类号：G11C11/417(20060101)

分类号：G11C11/417(20060101);G11C11/412(20060101);G11C5/14(20060101)

优先权：["20190410 US 62/831,916","20200304 US 16/809,006"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本公开的实施例涉及减少保持泄漏的SRAM。存储器设备包括在虚拟电源和虚拟接地节点之间被供电的存储器阵列。伪存储器阵列在第一和第二节点之间被供电。虚拟电源发生电路根据第一控制电压在虚拟电源节点处生成虚拟电源电压。虚拟接地发生电路根据第二控制电压在虚拟接地节点处生成虚拟接地。耦合在第一节点和电源电压之间的第一控制电压发生电路随着跟踪存储器阵列的保持噪声容限RNM而生成第一控制电压，第一控制电压随着RNM的减小而下降。耦合在第二节点和接地之间的第二控制电压发生电路随着跟踪存储器阵列的RNM而生成第二控制电压，第二控制电压随着RNM的减小而上升。

主权项：1.一种存储器设备，包括：存储器阵列，在电源电压节点和虚拟接地电压节点之间被供电；伪存储器阵列，在第一节点和第二节点之间被供电，所述伪存储器阵列包括作为所述存储器阵列的晶体管的复制品的晶体管；虚拟接地发生电路，被配置为根据控制电压在所述虚拟接地电压节点处生成虚拟接地电压；以及控制电压发生电路，被耦合在所述第二节点和接地之间，并且被配置为随着跟踪所述存储器阵列的保持噪声容限RNM而生成所述控制电压，所述控制电压随着所述RNM减小而上升。

全文数据：

权利要求：

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