申请/专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司

申请日：2019-05-14

公开（公告）日：2020-11-17

公开（公告）号：CN111951865A

主分类号：G11C16/26(20060101)

分类号：G11C16/26(20060101);G11C16/08(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.07#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；其中，所述待处理存储块为：已经进行过大于预设次数的读操作的存储块；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和或，末尾字线；对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压大于所述导通阈值电压。本发明实施例在边沿字线施加大于该导通阈值电压的第二电压，可以确保边沿字线导通，因此可以避免已经进行过较多次数读操作的存储块中，因边沿字线造成的读取错误现象。

主权项：1.一种非易失存储器读处理方法，其特征在于，所述方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；其中，所述待处理存储块为：已经进行过大于预设次数的读操作的存储块；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和或，末尾字线；对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压大于所述导通阈值电压。

全文数据：

权利要求：

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