申请/专利权人：中国计量大学

申请日：2020-09-16

公开（公告）日：2020-11-20

公开（公告）号：CN111965572A

主分类号：G01R33/10(20060101)

分类号：G01R33/10(20060101);G01R33/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开

摘要：本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层作为声波反射层；当磁场发生变化，上电极发生磁致伸缩效应，引起电极发生形变，从而改变谐振频率，以此来测量磁场强度；本发明中磁场传感器的尺寸小，制造成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。

主权项：1.基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在：整体结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；所述上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；所述硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层二氧化硅作为声波反射层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国计量大学 基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器及制备方法

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