申请/专利权人：无锡华润微电子有限公司

申请日：2019-05-21

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987044A

主分类号：H01L21/8238(20060101)

分类号：H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.01#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。制造方法包括：获得衬底，衬底上形成有用于隔离出有源区的隔离结构；在衬底上形成P型阱区；在P型阱区上形成有源区；在有源区与隔离结构边界处的第一侧和与第一侧相对的第二侧形成阈值电压补偿区域；形成栅极；其中，有源区包括形成于P型阱区中的源极区和漏极区；第一侧和第二侧的连线垂直于有源区的导电沟道方向，阈值电压补偿区域的空穴浓度大于P型阱区的空穴浓度。通过在有源区与隔离结构交界处的相对两侧设置空穴浓度更高的阈值电压补偿区域，能够中和该区域内由于辐射感生的负电荷，形成了多阈值沟道结构，能够避免器件受到辐射后产生电路漏电设置器件误开启、电路误翻转等问题。

主权项：1.一种半导体器件的制造方法,包括：获得衬底，所述衬底上形成有用于隔离出有源区的隔离结构；在所述衬底上形成P型阱区；在所述P型阱区上形成有源区；在所述有源区与所述隔离结构边界处的第一侧和与第一侧相对的第二侧形成阈值电压补偿区域；在源极区和漏极区之间的区域的上方形成栅极；其中，所述有源区包括形成于所述P型阱区中的所述源极区和漏极区；所述第一侧和第二侧的连线垂直于所述有源区的导电沟道方向，所述阈值电压补偿区域的空穴浓度大于所述P型阱区的空穴浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润微电子有限公司 半导体器件的制造方法及半导体器件

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