申请/专利权人：迈来芯电子科技有限公司

申请日：2020-05-08

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111981964A

主分类号：G01B7/00(20060101)

分类号：G01B7/00(20060101);G01B7/30(20060101)

优先权：["20190523 EP 19176294.7"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.24#授权;2022.06.10#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明涉及磁位置传感器系统、设备、磁体和方法。一种用于确定传感器设备相对于磁结构的位置X、α的位置传感器系统100，该系统包括：所述磁结构101，该磁结构101包括多个非等距磁极；所述传感器设备，该传感器设备包括间隔开预定义的距离Δx12、Δx23的至少三个磁传感器S1、S2、S3；并且传感器设备适于：a测量至少三个平面内磁场分量Bx1、Bx2、Bx3，并适于从中计算两个平面内场梯度；b测量至少三个平面外磁场分量Bz1、Bz2、Bz3，并适于从中计算两个平面外场梯度；c基于这些梯度来计算粗略信号Sc；d基于这些梯度来计算精细信号Sf；e基于粗略信号Sc和精细信号Sf来确定所述位置X、α。

主权项：1.一种用于位置感测系统中的位置传感器设备600，其中所述位置传感器设备相对于具有多个磁极的磁结构是能移动的，所述位置传感器设备600包括：半导体衬底；至少三个传感器S1、S2、S3，所述至少三个传感器S1、S2、S3用于测量至少三个第一磁场分量Bx1、Bx2、Bx3并且用于测量至少三个第二磁场分量Bz1、Bz2、Bz3，所述至少三个第一磁场分量Bx1、Bx2、Bx3在至少三个不同位置X1、X2、X3上按基本上平行于所述衬底的第一方向X取向，所述至少三个不同位置X1、X2、X3沿着所述第一方向X间隔开预定义的距离Δx12、Δx23，所述至少三个第二磁场分量Bz1、Bz2、Bz3在所述至少三个不同位置X1、X2、X3上按取向成基本上垂直于所述衬底的第二方向Z取向；处理单元615，所述处理单元615适于：a计算沿着所述第一方向X的所述第一磁场分量Bx1、Bx2、Bx3的两个第一梯度ΔBx12Δx12、ΔBx23Δx23；b计算沿着所述第一方向X的所述第二磁场分量Bz1、Bz2、Bz3的两个第二梯度ΔBz12Δx12、ΔBz23Δx23；c基于所述第一梯度和所述第二梯度中的至少一些来计算粗略信号Sc；d基于所述第一梯度和所述第二梯度中的至少一些来计算精细信号Sf；e基于所述粗略信号Sc和所述精细信号Sf来确定位置X、α。

全文数据：

权利要求：

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