申请/专利权人：同辉电子科技股份有限公司

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN212011016U

主分类号：H01L33/24(20100101)

分类号：H01L33/24(20100101);H01L33/10(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/46(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.24#授权

摘要：本实用新型公开了一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层和结构化层，主基底层的顶端与结构化层的底端固定连接，主基底层包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的顶端铺设有LED外延层，LED外延层的中部固定设有块状凸起，结构化层包括与块状凸起顶端连接的P型半导体，P型半导体的顶端固定设有量子阱发光层，量子阱发光层的顶端固定设有N型半导体，本实用新型的有益效果是通过设有的块状凸起、介质高反膜和氮化硅薄膜层，可以最大程度限制LED光子横向传输的光子损失，从而提高了器件的光提取效率，大大提高了LED侧壁光的输出率，通过设有的量子阱发光层和金属反光层，提高光子的纵向出射几率，有效提高LED的光提取效率。

主权项：1.一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层1和结构化层2，其特征在于，所述主基底层1的顶端与结构化层2的底端固定连接，所述主基底层1包括蓝宝石衬底3，所述蓝宝石衬底3的顶端铺设有LED外延层7，所述LED外延层7的中部固定设有块状凸起5，所述块状凸起5的顶端与结构化层2的底端固定连接，所述结构化层2包括与块状凸起5顶端连接的P型半导体9，所述P型半导体9的顶端固定设有量子阱发光层11，所述量子阱发光层11的顶端固定设有N型半导体4。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 同辉电子科技股份有限公司 一种高光提取率的LED的结构化基底

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