申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-10-08

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635381A

主分类号：H01L21/683(20060101)

分类号：H01L21/683(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.22#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明涉及一种控制方法、控制系统以及半导体制造设备，控制方法包括：提供晶圆承载盘，晶圆承载盘内具有静电产生电路，静电产生电路包括第一端口和第二端口；提供第一直流电源以及第二直流电源，第一直流电源连接第一端口，第二直流电源连接第二端口；控制第一直流电源向第一端口提供第一电压，第二直流电源向第二端口提供第二电压，第二电压与第一电压的正负相反且绝对值相等，以使晶圆承载盘产生静电；控制第一直流电源向第一端口提供的电压的绝对值由第一电压的绝对值逐渐减小至零，第二直流电源向第二端口提供的电压的绝对值由第二电压的绝对值逐渐减小至零。本发明改善半导体制造过程中等离子泄露现象，降低晶圆缺陷，提高半导体产品良率。

主权项：1.一种控制方法，其特征在于，包括：提供晶圆承载盘，所述晶圆承载盘内具有静电产生电路，所述静电产生电路包括第一端口和第二端口；提供第一直流电源以及第二直流电源，所述第一直流电源连接所述第一端口，所述第二直流电源连接所述第二端口；控制所述第一直流电源向所述第一端口提供第一电压，所述第二直流电源向所述第二端口提供第二电压，所述第二电压与所述第一电压的正负相反且绝对值相等，以使所述晶圆承载盘产生静电；控制所述第一直流电源向所述第一端口提供的电压的绝对值由所述第一电压的绝对值逐渐减小至零，所述第二直流电源向所述第二端口提供的电压的绝对值由所述第二电压的绝对值逐渐减小至零。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 控制方法、控制系统及半导体制造设备

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