申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-10-08

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635650A

主分类号：H01L43/08(20060101)

分类号：H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.08#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的参考层、垂直各向异性增强层、与设置于两方之间的晶格传输层共同构成参考层。本申请中由于垂直各向异性增强层的引入增强了参考的稳定性，进而有利于自由层在平行态和反平行态时，热稳定性的提升。同时，由于可以增加参考层的厚度，垂直隧穿磁阻比例TMR结电阻面积积RA得以提升，有助于磁性存储器在磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微。

主权项：1.一种磁性存储器的磁性隧道结结构，设置于磁性随机存储单元，所述磁性隧道结由上至下结构包括覆盖层、自由层、势垒层、参考层、反铁磁层与种子层，其特征在于，所述参考层包括：垂直各向异性增强层，设置于所述反铁磁层上，由高电负性并且具有面心晶体结构的过渡金属材料或金属氧化物构成；晶格传输层，设置于所述垂直各向异性增强层上，由具有体心晶体结构的过渡金属形成；第一参考层，设置于所述晶格传输层，由铁磁材料及其合金所形成；参考过渡层，设置于所述第一参考层上，由具有体心晶体结构的过渡金属形成；第二参考层，设置于所述参考过渡层，由铁磁材料及其合金所形成；其中，所述垂直各向异性增强层用以提供额外的界面各向异性来源，所述晶格传输层实现所述反铁磁层与所述参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，所述参考过渡层实现第一参考层和第二参考层之间的铁磁耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 磁性隧道结结构及其磁性存储器

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