申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635441A

主分类号：H01L25/07(20060101)

分类号：H01L25/07(20060101);H01L25/16(20060101);G11C16/04(20060101);H01L25/00(20060101);G11C16/10(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.24#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，将各个存储阵列所需的至少部分外围电路和闪存控制器集成到逻辑电路结构中，并使得存储阵列结构和逻辑电路结构通过具有金属互连结构的键合结构层键合在一起并相互通信，由此，不仅使得存储阵列、闪存控制器、存储阵列的外围电路之间实现了通信，还大幅缩短了存储阵列和闪存控制器之间的通信路径长度，因此降低了通信延迟，减小了功耗。

主权项：1.一种闪存器件，其特征在于，包括依次堆叠在一起的：存储阵列结构，其中形成有至少一个存储阵列；键合结构层，其中形成有金属互连结构；逻辑电路结构，其中形成有闪存控制器及各个所述存储阵列所需的至少部分外围电路；其中，所述存储阵列结构与所述逻辑电路结构通过所述键合结构层键合在一起，且各个所述存储阵列与所述逻辑电路结构通过所述金属互连结构电性连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 闪存器件及其制造方法

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