申请/专利权人：北京智创芯源科技有限公司

申请日：2020-09-16

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112086363B

主分类号：H01L21/426(20060101)

分类号：H01L21/426(20060101);H01L21/477(20060101);H01L31/18(20060101);H01L31/103(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开

摘要：本公开提供一种离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片的制备方法包括：在所述P型碲镉汞衬底上方形成介质膜层；对所述P型碲镉汞衬底和所述介质膜层进行热处理工艺；在所述介质膜层上方形成光刻胶掩膜层，并对所述光刻胶掩膜层进行图案化处理，以在所述光刻胶掩膜层上形成网格状的离子注入窗口；通过所述离子注入窗口，注入高能离子到所述P型碲镉汞衬底表面内，以在所述P型碲镉汞衬底表面内形成N型掺杂区；去除所述光刻胶掩膜层；对所述P型碲镉汞衬底进行热处理工艺。这种方法有效保护注入区内未被高能离子轰击的介质膜层，减少对介质膜层和碲镉汞之间通过热处理形成的良好界面的破坏。

主权项：1.一种离子注入方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成介质膜层；在所述介质膜层上方形成光刻胶掩膜层，并对所述光刻胶掩膜层进行图案化处理，以在所述光刻胶掩膜层上形成网格状的离子注入窗口；其中，每个所述离子注入窗口包括多个单元格；通过所述离子注入窗口的所述多个单元格，注入高能离子到所述衬底表面内，以在所述衬底表面内于所述离子注入窗口对应位置处形成掺杂区；其中，所述掺杂区为连续区域；在垂直于离子注入方向的方向上，所述掺杂区的面积大于或等于所述离子注入窗口的面积；去除所述光刻胶掩膜层；对所述衬底进行热处理工艺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智创芯源科技有限公司 离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片

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