申请/专利权人：湖南进芯电子科技有限公司

申请日：2020-08-13

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN213072600U

主分类号：H03H9/19(20060101)

分类号：H03H9/19(20060101);H03H9/13(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权

摘要：本实用新型提供了一种低功耗石英晶体振荡器电路，包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与接地端电连接；耦合电容，所述耦合电容的第一端与所述第一PMOS管的栅极端电连接，所述耦合电容的第二端与所述第一NMOS管的栅极端电连接；PMOS偏置模块，所述PMOS偏置模块与所述耦合电容的第一端电连接；NMOS偏置模块，所述NMOS偏置模块与所述耦合电容的第二端电连接。本实用新型所提供的低功耗石英晶体振荡器电路，减小了石英晶体振荡器的工作电流消耗，降低了电路的功率消耗，提高了电子设备的使用时间。

主权项：1.一种低功耗石英晶体振荡器电路，其特征在于，包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与接地端电连接；耦合电容，所述耦合电容的第一端与所述第一PMOS管的栅极端电连接，所述耦合电容的第二端与所述第一NMOS管的栅极端电连接；PMOS偏置模块，所述PMOS偏置模块与所述耦合电容的第一端电连接；NMOS偏置模块，所述NMOS偏置模块与所述耦合电容的第二端电连接；第一电容，所述第一电容的第一端与所述耦合电容的第二端电连接，所述第一电容的第二端与接地端电连接；石英晶体振荡器，所述石英晶体振荡器的第一端与所述第一电容的第一端电连接；第二电容，所述第二电容的第一端分别与所述石英晶体振荡器的第二端和所述第一PMOS管的漏极端电连接，所述第二电容的第二端与接地端电连接。

全文数据：

权利要求：

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