申请/专利权人：都江堰市天兴硅业有限责任公司

申请日：2019-12-31

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113121862A

主分类号：C08J7/12(20060101)

分类号：C08J7/12(20060101);C08J7/00(20060101);C08J5/18(20060101);C08L77/02(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提供了一种奇数尼龙介电薄膜及其制备方法，该制备方法是将奇数尼龙原材料，经过干燥、压片制膜工艺，不必经过拉伸，直接在不同的温度施加电压进行极化处理，在不改变化学结构的条件下，改变材料的聚集态结构晶体结构，特别是改变了氢鍵的方向，从而获得高介电常数奇数尼龙薄膜材料。且采用该制备方法得到的高介电常数薄膜，具有优良的压电性能、热电性能和铁电性能，而且力学性能和耐热性能也十分优良，特别适合航空航天领域，可以大幅度减少电子器件的体积和重量，在军工行业更有应用前景。

主权项：1.一种奇数尼龙介电薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、将奇数尼龙原料干燥；S2、将干燥料夹在铝箔中进行热压后，于空气中自然冷却；S3、将冷却后的原料用3-8％的质量百分比的碱性水溶液浸泡，洗净后干燥；S4、在薄膜表面蒸镀电极，室温下对10-50um厚的薄膜进行直流电压极化处理，保压100-300MVm,维持3-5小时；S5、以5-8℃min的升温速度对薄膜进行加温梯度极化处理，在70-90℃时将电场降压至50-200MVm，保持2-3小时；S6、再升温至100-120℃，降压至10-50MVm，保持0.2-1小时后保持电场的情况，降至室温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 都江堰市天兴硅业有限责任公司 一种奇数尼龙介电薄膜及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD