申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-04-10

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113129984A

主分类号：G11C17/16(20060101)

分类号：G11C17/16(20060101);G11C17/18(20060101);H01L27/112(20060101)

优先权：["20191231 US 16/732,214"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.07.14#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.07.16#公开

摘要：存储器器件包含具有多个反熔丝单元的反熔丝单元阵列，多个反熔丝单元中的每一个具有第一晶体管和连接到第一晶体管的第二晶体管。第一晶体管的第一端子连接到位线，且位线是形成于第一晶体管和第二晶体管的衬底中的埋入轨。

主权项：1.一种存储器器件，包括：反熔丝单元阵列，具有多个反熔丝单元，所述多个反熔丝单元中的每一个包括：第一晶体管；以及第二晶体管，连接到所述第一晶体管，其中所述第一晶体管的第一端子连接到位线；且其中所述位线是形成于所述第一晶体管和所述第二晶体管的衬底中的埋入轨。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器器件

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