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【发明公布】BSI图像传感器装置及制作方法_武汉新芯集成电路制造有限公司_202110902486.8 

申请/专利权人:武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日:2021-08-06

公开(公告)日:2021-11-09

公开(公告)号:CN113629087A

主分类号:H01L27/146(20060101)

分类号:H01L27/146(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.12.22#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要:本发明涉及一种BSI图像传感器装置及制作方法。所述制作方法中,在衬底背面形成凹槽和穿通孔,穿通孔从衬底背面穿通至设置于衬底正面的互连结构顶面,互连结构通过所述穿通孔中形成的导电柱和于衬底背面和凹槽内表面形成的电连接层电性引出,焊盘形成在凹槽中的电连接层上,从而焊盘与互连结构实现了电性连接。所述穿通孔的位置不设置焊盘,因而穿通孔的孔径可设置得较小,且焊盘的位置受互连结构的引出位置影响小,可根据节约衬底面积的需要设置焊盘,便于缩小焊盘对衬底面积的消耗,提高设计灵活性和实现小尺寸。所述图形传感器装置可采用所述制作方法制作。

主权项:1.一种BSI图像传感器装置的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底具有相对的正面和背面且于正面形成有互连结构,所述衬底的背面形成有凹槽和位于凹槽外围且从所述衬底背面穿通至所述互连结构顶面的穿通孔,所述衬底的背面、所述凹槽内表面以及所述穿通孔侧壁随形覆盖有隔离层;在所述隔离层上沉积导电材料,所述穿通孔中的导电材料形成导电柱,所述衬底背面以及所述凹槽内表面上的导电材料形成电连接层,所述互连结构通过所述导电柱以及所述电连接层电性引出;在所述凹槽中的所述电连接层上形成焊盘,并在所述焊盘和所述焊盘覆盖范围以外的电连接层上覆盖保护层;以及,在覆盖所述焊盘的保护层中形成开口,暴露出所述焊盘,且所述保护层将所述电连接层掩埋在内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉新芯集成电路制造有限公司 BSI图像传感器装置及制作方法

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