申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-11-30

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690189A

主分类号：H01L21/8249(20060101)

分类号：H01L21/8249(20060101)

优先权：["20200915 US 17/021,727"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：公开一种形成晶体保护多晶硅层的方法，所述方法在后续工艺期间不会产生有缺陷的空隙，从而为下面的装置提供有效的保护。在一个实施例中，一种形成半导体装置的方法包括：在第一多晶硅层上沉积保护涂层；在保护涂层上形成外延层；以及在外延层之上沉积第二多晶硅层，其中保护涂层包括第三多晶硅层，其中第三多晶硅层在介于600摄氏度到700摄氏度范围内的第一温度下沉积，且其中保护涂层中的第三多晶硅层被配置成当第二多晶硅层被刻蚀时保护第一多晶硅层。

主权项：1.一种形成半导体装置的方法，包括：在第一多晶硅层上沉积保护涂层；在所述保护涂层上形成外延层；及在所述外延层之上沉积第二多晶硅层，其中所述保护涂层包括第三多晶硅层，其中所述第三多晶硅层在介于600摄氏度到700摄氏度范围内的第一温度下沉积，且其中所述保护涂层中的所述第三多晶硅层被配置成当所述第二多晶硅层被刻蚀时保护所述第一多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体装置的方法

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