申请/专利权人：湖北工业大学

申请日：2021-11-24

公开（公告）日：2022-03-11

公开（公告）号：CN114171636A

主分类号：H01L31/18(20060101)

分类号：H01L31/18(20060101);H01L31/0352(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开

摘要：本发明提供一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：首先，将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；其次，将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；最后，将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。本发明提供的制备方法能够实现对于CZTS薄膜的完全覆盖，避免由于覆盖不全而造成的短路现象。同时，该制备方法制备得到的无Cd缓冲层为超薄结构，能够更好的发挥隧穿效应，其与CZTS薄膜之间形成“倒刺型”的能带结构，减少载流子复合损失，进而提升CZTS薄膜太阳能电池的器件性能。

主权项：1.一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：S1、将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；S2、将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；S3、将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北工业大学 一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法

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