申请/专利权人：江苏汀普微电子有限公司

申请日：2021-12-22

公开（公告）日：2022-04-08

公开（公告）号：CN114300345A

主分类号：H01L21/18(20060101)

分类号：H01L21/18(20060101);H01L21/225(20060101);H01L21/228(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开

摘要：STD芯片生产工艺，属于半导体技术领域。其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。本发明利用键合工艺将N‑区与P+区键合，可以达到N+区与P+区同步进行扩散工艺的目的，缩短了生产周期。经过实际生产，本发明的STD芯片生产工艺，生产周期在20天左右，较现有生产工艺，周期减少了十天，显著降低了生产成本。

主权项：1.STD芯片生产工艺，其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏汀普微电子有限公司 STD芯片生产工艺

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