申请/专利权人：太仓天宇电子有限公司

申请日：2023-03-29

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN219435869U

主分类号：H01L23/485

分类号：H01L23/485;H01L23/13

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.28#授权

摘要：本实用新型公开了一种5英寸TVS及STD器件芯片结构，包括：芯片本体和封装框架，芯片本体包括N型衬底，N型衬底底部设置有氧化层，底部金属层穿过氧化层后接触底部N扩散区，底部金属层包括伸出氧化层表面的凸出层，底部金属层的面积小于芯片本体的面积，芯片本体底部刷有第一导电胶层，第一导电胶层覆盖在底部金属层，芯片本体粘接在封装框架上，封装框架上设置有第一凹槽，第一导电胶层接触第一凹槽底面，第一凹槽底面上设置有通孔，通孔内填充有第二导电胶。本实用新型相较于现有技术，有效避免TVS器件或STD器件中使用的芯片在封装过程产生短路，提高封装良率。

主权项：1.一种5英寸TVS及STD器件芯片结构，其特征在于，包括：芯片本体1和封装框架2，所述芯片本体1包括N型衬底11，所述N型衬底11一侧设置有顶部N扩散区12和顶部P扩散区13，所述N型衬底11上相对的另一侧设置有底部N扩散区14和底部P扩散区15，所述N型衬底11上侧设置有顶部金属层16，所述N型衬底11底部设置有氧化层18，底部金属层17穿过所述氧化层18后接触所述底部N扩散区14，所述底部金属层17包括伸出所述氧化层18表面的凸出层171，所述底部金属层17的面积小于所述芯片本体1的面积，所述芯片本体1底部刷有第一导电胶层19，所述第一导电胶层19覆盖在所述底部金属层17，所述芯片本体1粘接在所述封装框架2上，所述封装框架2上设置有第一凹槽21，所述第一导电胶层19接触所述第一凹槽21底面，所述第一凹槽21底面上设置有通孔211，所述通孔211内填充有第二导电胶212。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 太仓天宇电子有限公司 一种5英寸TVS及STD器件芯片结构

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