申请/专利权人：山东大学

申请日：2021-12-20

公开（公告）日：2022-04-15

公开（公告）号：CN114361035A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L21/306

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：本发明涉及提高InAlNGaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双三氟甲烷磺酰亚胺对已经制备完成的InAlNGaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将InAlNGaN高电子迁移率晶体管置于特定浓度的TFSI溶液中浸泡一定的时间，溶液中的氢离子会中和InAlN势垒层中的部分极化电荷，降低极化库仑场散射，从而提高InAlNGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率及器件性能。

主权项：1.提高InAlNGaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述InAlNGaN高电子迁移率晶体管包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层和GaN帽层；GaN沟道层上设置有源电极和漏电极；GaN帽层上设置有栅电极，且栅电极位于源电极和漏电极的中间；具体步骤包括：1在衬底上依次生长GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层和GaN帽层；再在GaN帽层上生长源电极和漏电极并进行退火处理；最后在GaN帽层上制备栅电极，得到InAlNGaN高电子迁移率晶体管；2在空气环境中，将InAlNGaN高电子迁移率晶体管置于配置好的双三氟甲烷磺酰亚胺溶液中静置；3将InAlNGaN高电子迁移率晶体管从双三氟甲烷磺酰亚胺溶液中取出，并使用氮气吹干。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法

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