申请/专利权人：西安博瑞集信电子科技有限公司

申请日：2022-01-18

公开（公告）日：2022-04-26

公开（公告）号：CN114400997A

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.05.13#实质审查的生效;2022.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法，包括接地电容C1、C2、C3，下拉电阻R2、R3，延时电阻R1，分压电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9，六个MOS管，通过MOS管作为开关器件，可以实现TTL控制高负压，负压电压可达‑60V左右，能够为当前的GaN器件提供更快的电压控制方案，摆脱了传统控制的时序即时间响应问题，通过单逻辑控制GaN射频开关，节省逻辑空间；硬件延时电阻来避免控制时序不确定带来的抖动问题，可以解决GaNHemt管在应用中出现的栅极漏电导致无法控制的问题。

主权项：1.一种GaNHemt射频开关控制电路，其特征在于，包括接地电容C1、C2、C3，下拉电阻R2、R3，延时电阻R1，分压电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9，MOS管；所述MOS管包括：增强型PMOS管D1、D3、D4，增强型NMOS管D2、D5、D6；其中，D1的源级通过R1和D2的栅极连接；D1的漏级与D3的源级相连，R3位于D1的漏级和D3的源级之间并接地，D1的源极连接控制端；D2的漏级与D4的源级相连，R2位于D2的漏级与D4的源级之间并接地，D2的源极通过C1接地，D2的源极连接常供电；R4位于D3的漏级和D5的栅极之间，R6位于D5的源级与栅极之间，D3的栅极接地；R5位于D4的漏级和D6的栅极之间，R7位于D6的源级和栅极之间，D4的栅极接地；D5的源级通过R8和C2接地，R8同时与负压电压源连接；D6的源级通过R9和C3接地，R9同时与负压电压源连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安博瑞集信电子科技有限公司 一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法

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