申请/专利权人：株洲火炬安泰新材料有限公司

申请日：2021-03-05

公开（公告）日：2022-09-09

公开（公告）号：CN112898013B

主分类号：C04B35/457

分类号：C04B35/457;C04B35/622;C04B35/64

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.09#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.06.04#公开

摘要：本发明公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：S1、ITO平面素坯的放置：将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯，相邻ITO平面素坯通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结：在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯进行烧结，ITO平面素坯采用分段式烧结。本发明解决了传统ITO靶材常压烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。

主权项：1.一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、ITO平面素坯2的放置将ITO平面素坯2置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯2，相邻ITO平面素坯2通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯2进行烧结，ITO平面素坯2采用分段式烧结，分段式烧结过程为：以2-6℃min升温至600-800℃，保温5-10h，氧气流量8Lmin；再以0.5-3℃min升温至1300-1400℃，保温10-20h，氧气流量13Lmin；再以0.5-2℃min升温至1500-1700℃，保温20-60h，氧气流量18Lmin，制得高密度ITO靶材；所述支撑装置包括固定在所述烧结炉内的固定板1，所述固定板1顶面为用于放置所述ITO平面素坯2的放置面3，所述放置面3为倾斜设置，所述放置面3上开设有用于氧气填充的凹槽4，所述凹槽4设置有多个，多个所述凹槽4沿所述放置面3倾斜方向等间距布置；所述放置面3下端固定有用于限制所述ITO平面素坯2向下滑动的定位块6，所述定位块6与所述ITO平面素坯2接触，所述固定板1上设置有推动机构7，所述推动机构7用于推动所述ITO平面素坯2沿所述放置面3倾斜方向向上滑动，以使所述固定板1脱离所述定位块6。

全文数据：

权利要求：

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