申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-04-26

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101394A

主分类号：H01J1/34

分类号：H01J1/34;H01J9/12;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明公开了一种具有开放式纳米管结构的NEAAlGaAs光电阴极及其制备方法。该具有开放式纳米管结构的光电阴极结构包括：由下至上依次设置的衬底11、SiO2层12、GaAs层13、开放性AlGaAs纳米管层14、激活层15。采用纳米管结构AlGaAs作为光电阴极电子发射层，可以增大光电发射的表面积，促进光电子在发射层中的扩散和在表面的逸出。但是AlGaAs纳米管层内侧不易吸附激活层15和接受光照，本发明在纳米管光电阴极结构基础上，对纳米管结构AlGaAs进行45°角等离子刻蚀，形成具有开放式纳米管结构的NEAAlGaAs14作为光电阴极电子发射层，可以进一步提高AlGaAs光电阴极的量子效率；并且能够实现光电阴极对不同方向入射光的灵敏度具有差异，进一步提高了光电阴极的量子效率。

主权项：1.一种具有开放式纳米管结构的NEAAlGaAs光电阴极，其特征在于：由下至上依次设置的衬底11、SiO2层12、GaAs层13、开放式AlGaAs纳米管层14、激活层15。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种具有开放式纳米管结构的NEA AlGaAs光电阴极及其制备方法

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