申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2020-08-18

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN114079229B

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/20;H01S5/343

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.16#授权;2022.03.11#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：本发明涉及一种界面优化的AlGaInPAlGaAs非对称半导体激光器件及其制备方法。所述器件由下至上包括衬底、GaAs过渡层、GaAsP下过渡层、AlGaInP下限制层、下波导层、有源区、上波导层、GaAsP上过渡层、AlGaAs上限制层、AlGaAs带隙过渡层和GaAs帽层。本发明还提供所述半导体激光器件的制备方法。本发明通过在AlGaInP材料界面生长GaAsP过渡层，建立组分可控的过渡层材料，减少AsP气体切换引入的应力和缺陷，提高界面生长质量；实现AlGaInPAlGaAs非对称半导体激光器件的高电光转换效率及工作稳定性。

主权项：1.一种界面优化的AlGaInPAlGaAs非对称半导体激光器件，由下至上包括衬底、GaAs过渡层、GaAsP下过渡层、AlGaInP下限制层、下波导层、有源区、上波导层、GaAsP上过渡层、AlGaAs上限制层、AlGaAs带隙过渡层和GaAs帽层；其中，所述GaAsP下过渡层为GaAs1-x1Px1，0≤x1≤0.15，且x1由低值渐变至高值；所述GaAsP上过渡层为GaAs1-x8Px8，0.4≤x8≤0.9，且x8由高值渐变至低值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种界面优化的AlGaInP/AlGaAs非对称半导体激光器件及其制备方法

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