申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2021-01-26

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115104176A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/67;H01L21/768

优先权：["20200217 US 16/792,646"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：大体而言，本文描述的示例涉及用于在同一处理腔室中在沉积在基板上的可流动间隙填充膜上实行多个处理的方法和处理系统。在一示例中，半导体处理系统包括处理腔室和系统控制器。系统控制器包括处理器和存储器。存储器储存指令，所述指令在由处理器执行时使系统控制器：控制在处理腔室中的第一处理，所述第一处理在基板上实行，所述基板上具有通过可流动处理沉积的膜，以及控制在处理腔室中的第二处理，所述第二处理在其上具有所述膜的基板上实行。第一处理包括稳定膜中的键以形成经稳定的膜。第二处理包括致密化经稳定的膜。

主权项：1.一种半导体处理系统，包括：处理腔室；和系统控制器，包括处理器和存储器，所述存储器储存指令，所述指令在由所述处理器执行时使所述系统控制器：控制在所述处理腔室中的第一处理，所述第一处理在基板上实行，所述基板上具有通过可流动处理沉积的膜，所述第一处理包括稳定在所述膜中的键以形成经稳定的膜；和控制在所述处理腔室中的第二处理，所述第二处理在其上具有所述膜的所述基板上实行，所述第二处理包括致密化所述经稳定的膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于可流动间隙填充膜的多步骤处理

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