申请/专利权人：苏州赛美思高分子科技有限公司

申请日：2023-03-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774361U

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/04;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/29

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型涉及芯片封装结构技术领域，具体涉及间隙小的芯片封装结构，包括基板、安装在基板底部的外导电体、安装在基板顶部的散热机构、安装在散热机构内的芯片以及位于芯片和基板之间的内导电体，基板表面开设有用于焊接内导电体的上嵌槽，内导电体与基板之间填充有第一封装胶，本实用新型采用上述结构的设计，将内导电体埋设焊接于基板中，摒弃了现有的将导电体整体焊接于基板表面的方式，减小了芯片与基板之间的间隙，同时通过封装胶的设计，一定程度上令芯片与基板之间出现连接紧密、接触灵敏。

主权项：1.间隙小的芯片封装结构，包括基板100、安装在基板100底部的外导电体120、安装在基板100顶部的散热机构、安装在散热机构内的芯片160以及位于芯片160和基板100之间的内导电体150，其特征在于：基板100表面开设有用于焊接内导电体150的上嵌槽140，内导电体150与基板100之间填充有第一封装胶210。

全文数据：

权利要求：

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