申请/专利权人：航天科工防御技术研究试验中心

申请日：2022-05-19

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115099116A

主分类号：G06F30/25

分类号：G06F30/25;G06F119/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明提供了一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备，方法包括：获取电子器件的器件参数信息；基于器件参数信息确定对应的物理模型，并基于物理模型建立电子器件的仿真模型；基于给定激励对仿真模型进行仿真验证，得到电子器件的仿真特性曲线和仿真阈值电压；基于仿真特性曲线、仿真阈值电压和电子器件的参考数据对物理模型进行校准，得到校正后的物理模型；基于校正后的物理模型进行单粒子效应仿真，得到电子器件的单粒子效应电荷变化信息和电子浓度变化信息。通过对器件进行仿真，评估器件在空间环境下的抗辐射性能和可靠性，同时为器件抗辐射加固设计提供参考，且还有效的提高器件使用可靠性。

主权项：1.一种电子器件的单粒子效应仿真方法，其特征在于，包括：获取电子器件的器件参数信息；基于所述器件参数信息确定对应的物理模型，并基于所述物理模型建立所述电子器件的仿真模型；基于给定激励对所述仿真模型进行仿真验证，得到所述电子器件的仿真特性曲线和仿真阈值电压；基于所述仿真特性曲线、所述仿真阈值电压和所述电子器件的参考数据对所述物理模型进行校准，得到校正后的物理模型；基于所述校正后的物理模型进行单粒子效应仿真，得到所述电子器件的单粒子效应电荷变化信息和电子浓度变化信息。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 航天科工防御技术研究试验中心 一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD