申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-02-28

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115117172A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51

优先权：["20210319 KR 10-2021-0036079","20210329 KR 10-2021-0040542"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上或衬底中的至少一个处的沟道层；在衬底上的绝缘层；在绝缘层上的铁电层；在绝缘层和铁电层之间的界面上的固定电荷层，固定电荷层包括第一极性的电荷；以及在铁电层上的栅极。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上或所述衬底中的至少一个处的沟道层；在所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上的铁电层；在所述绝缘层和所述铁电层之间的界面上的固定电荷层，所述固定电荷层包括第一极性的电荷；以及在所述铁电层上的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和制造半导体器件的方法

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