申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2022-03-11

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115117144A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/861

优先权：["20210318 US 63/162,962","20220127 US 17/649,106"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.06#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：本申请涉及半导体器件。在一个示例中，半导体器件包括具有第一导电类型和阴极区域掺杂物浓度的阴极区域。电荷存储区域覆盖阴极区域并且具有第一导电类型和小于阴极区域掺杂物浓度的电荷存储区域掺杂物浓度。缓冲区域覆盖电荷存储区域并且具有第一导电类型、缓冲区域厚度、缓冲区域掺杂物浓度分布和缓冲区域峰值掺杂物浓度。漂移区域覆盖缓冲区域并且具有第一导电类型和漂移区域掺杂物浓度。与第一导电类型相反的第二导电类型的阳极区域邻近漂移区域。缓冲区域峰值掺杂物浓度大于电荷存储区域掺杂物浓度并且大于漂移区域掺杂物浓度。缓冲区域峰值掺杂物浓度与电荷存储区域间隔开并且与漂移区域间隔开。本文公开了其它相关示例和方法。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体工件，所述半导体工件包括：半导体工件顶侧；半导体工件底侧，所述半导体工件底侧与所述半导体工件顶侧相对；第一区域，所述第一区域位于所述半导体工件底侧并且具有第一导电类型和第一区域掺杂物浓度；第二区域，所述第二区域邻近所述第一区域并且具有所述第一导电类型和第二区域掺杂物浓度；第三区域，所述第三区域邻近所述第二区域并且具有所述第一导电类型并且在具有第三区域峰值掺杂物浓度的所述第三区域的厚度上方具有第三区域掺杂物浓度分布；和第四区域，所述第四区域邻近所述第三区域并且具有所述第一导电类型和第四区域掺杂物浓度；其中：所述第三区域峰值掺杂物浓度大于所述第二区域掺杂物浓度和所述第四区域掺杂物浓度；第五区域，所述第五区域位于所述半导体工件顶侧且邻近所述第四区域并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；第一导体，所述第一导体耦接到所述第五区域且邻近所述半导体工件顶侧；和第二导体，所述第二导体耦接到所述第一区域且邻近所述半导体工件底侧。

全文数据：

权利要求：

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