申请/专利权人：英诺赛科(苏州)科技有限公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN113130643B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：氮化物型的半导体器件包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并包括第一隔离化合物，第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一隔离化合物由至少一二维材料制成。二维材料包括金属元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。源极漏极电极和栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。栅极电极位在源极漏极电极之间，且源极漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。

主权项：1.一种氮化物型的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲体，设置在所述衬底上；第一氮化物半导体层，设置在所述缓冲体上；屏蔽层，设置在所述缓冲体和所述第一氮化物半导体层之间，并且包括第一隔离化合物，所述第一隔离化合物的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙，其中所述第一隔离化合物由至少一二维材料制成，且所述二维材料包括至少一金属元素，且所述二维材料允许所述第一氮化物半导体层在其上直接外延生长；第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于所述第一隔离化合物的带隙且大于所述第一氮化物半导体层的带隙；以及一对源极漏极电极和栅极电极，设置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述栅极电极位在所述源极漏极电极之间，且所述源极漏极电极和所述栅极电极于所述缓冲体上的垂直投影完全落在所述屏蔽层于所述缓冲体上的垂直投影内。

全文数据：

权利要求：

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