申请/专利权人：国立大学法人京都大学;三菱电机株式会社

申请日：2021-03-17

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115398761A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183;H01S5/18

优先权：["20200331 JP 2020-062586"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：二维光子晶体激光器10具备：基板11，其由n型半导体构成；p型包覆层p型半导体层131，其设置在基板11的上侧，由p型半导体构成；活性层14，其设置在p型包覆层131的上侧；二维光子晶体层16，其设置在活性层14的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材161中周期性地配置由折射率与母材161的折射率不同的材料构成的异折射率区域162而形成的；第一隧穿层121，其设置在基板11与p型包覆层131之间，由载流子密度比基板11的载流子密度高的n型半导体构成；第二隧穿层122，其以与第一隧穿层121接触的方式设置在第一隧穿层121与p型包覆层131之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成；第一电极181，其设置在基板11的下侧或基板11内；以及第二电极182，其设置在二维光子晶体层16的上侧。

主权项：1.一种二维光子晶体激光器，其特征在于，具备：a基板，其由n型半导体构成；bp型半导体层，其设置在所述基板的上侧，由p型半导体构成；c活性层，其设置在所述p型半导体层的上侧；d二维光子晶体层，其设置在所述活性层的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材内周期性地配置由折射率与该母材的折射率不同的材料构成的异折射率区域而形成的；e第一隧穿层，其设置在所述基板与所述p型半导体层之间，由载流子密度比所述基板的载流子密度高的n型半导体构成；f第二隧穿层，其以与所述第一隧穿层接触的方式设置在该第一隧穿层与所述p型半导体层之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成；g第一电极，其设置在所述基板的下侧或所述基板内；以及h第二电极，其设置在所述二维光子晶体层的上侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人京都大学;三菱电机株式会社 二维光子晶体激光器

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