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【发明公布】封装结构及封装结构的形成方法_苏州通富超威半导体有限公司_202211152719.8 

申请/专利权人:苏州通富超威半导体有限公司

申请日:2022-09-21

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115425001A

主分类号:H01L23/498

分类号:H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.12.02#公开

摘要:一种封装结构及其形成方法,结构包括:第一晶片,所述晶片具有相对的第一面和第二面;固定于第一晶片侧壁表面的钝化层,所述钝化层具有相对的第三面和第四面;位于钝化层内的若干第一连接层,所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层;位于第一晶片内的若干第二连接层,所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层;位于钝化层第四面上的第一电连接结构,所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接;位于第一晶片第二面上的第二电连接结构,所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。所述封装结构的封装灵活性较高,节省面积。

主权项:1.一种封装结构,其特征在于,包括:第一晶片,所述晶片具有相对的第一面和第二面;固定于第一晶片侧壁表面的钝化层,所述钝化层具有相对的第三面和第四面;位于钝化层内的若干第一连接层,所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层;位于第一晶片内的若干第二连接层,所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层;位于钝化层第四面上的第一电连接结构,所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接;位于第一晶片第二面上的第二电连接结构,所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州通富超威半导体有限公司 封装结构及封装结构的形成方法

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