申请/专利权人：苏州通富超威半导体有限公司

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425001A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。所述封装结构的封装灵活性较高，节省面积。

主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州通富超威半导体有限公司 封装结构及封装结构的形成方法

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