申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-10-31

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN111128888B

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092

优先权：["20181031 US 62/753,888","20191015 US 16/601,721"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底上方形成多个鳍结构。鳍结构沿着第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上布置。在鳍结构上方形成在第二方向上延伸的多个牺牲栅极结构。在相邻的牺牲栅极结构之间的多个鳍结构上方形成层间介电层。通过沿着第二方向形成栅极端部间隔，将牺牲栅极结构切割成多个牺牲栅极结构。通过用两种或多种介电材料填充栅极端部间隔来形成栅极分隔插塞。两种或多种介电材料包括第一层和形成在第一层上的第二层，并且第二层的介电常数小于第一层的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件。

主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成多个鳍结构，所述多个鳍结构沿着第一方向延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上布置；在所述鳍结构上方形成多个牺牲栅极结构，所述多个牺牲栅极结构在所述第二方向上延伸；在相邻的牺牲栅极结构之间的所述多个鳍结构上方形成层间介电层；通过沿着所述第二方向形成栅极端部间隔，将所述牺牲栅极结构切割成多个牺牲栅极结构；以及通过用两种或多种介电材料填充所述栅极端部间隔，形成栅极分隔插塞，其中，所述两种或多种介电材料包括第一层和形成在所述第一层上的第二层，并且所述第二层的介电常数小于所述第一层的介电常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件

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