申请/专利权人：南昌大学共青城光氢储技术研究院

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2023-01-10

公开（公告）号：CN218274542U

主分类号：H01L21/673

分类号：H01L21/673;H01L31/18;H01L31/20;C23C16/458;C23C16/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.10#授权

摘要：本实用新型涉及一种立式HWCVD设备载板，所述载板包括载板条，单排放1‑20片硅片，所述载板条上每块放硅片区域四周三个方向设置有硅片限位结构，防止载板和硅片竖直放置时硅片掉落。本实用新型通过将硅片从没有硅片限位结构一侧插入载板条中，完全插入后硅片位于放硅片区域中，此时硅片限位结构防止硅片掉落，该载板进行topcon所需的非晶硅膜制备，镀膜时硅片温度最高近450度，载板反复镀膜600次，依然可实现硅片稳定的取放，碎片率0.05％，远低于采用永磁体的载板设计0.3％碎片率的水平，不仅可以提高硅片的镀膜质量，而且设计结构简单，成本低。

主权项：1.一种立式HWCVD设备载板，其特征在于：所述载板包括载板条1，单排放1-20片硅片，所述载板条1上每块放硅片区域2四周三个方向设置有硅片限位结构3，防止载板和硅片竖直放置时硅片掉落。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌大学共青城光氢储技术研究院 一种立式HWCVD设备载板

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