申请/专利权人：南昌大学共青城光氢储技术研究院

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN218372504U

主分类号：C23C16/24

分类号：C23C16/24;C23C16/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权

摘要：本实用新型涉及一种双面镀膜HWCVD设备的镀膜腔体，包括第一腔体和第二腔体两种热丝排组与载板相对位置不同的腔体组成。第一腔体和第二腔体内有载板直线传输设置，各自有驱动组件保证载板可在两种腔体之间运动。第一腔体的内部设置有第一热丝排组，第二腔体的内部设置有第二热丝排组。本实用新型通过将载板传递于第一腔体中，硅片的一面通过第一热丝排组镀膜，镀膜完成后，驱动组件驱动载板移入第二腔体中，此时第二热丝排组对硅片的另一面镀膜，镀膜完成后，将载板传递到下料腔等其他腔体，破真空后即可取出载板与硅片，该设备可在真空状态下连续对硅片做双面镀膜处理，不仅镀膜效率高，而且无需将硅片取出更换面，避免硅片受到污染。

主权项：1.一种双面镀膜HWCVD设备的镀膜腔体，包括第一腔体1，其特征在于：所述第一腔体1的一侧连通设置有第二腔体2，且第一腔体1的内部设置有第一热丝排组4，第二腔体2的内部设置有第二热丝排组5，第一腔体1与第二腔体2内设置有驱动组件6，所述驱动组件6用于驱动载板3在第一腔体1和第二腔体2内部直线传输，且载板3放置硅片位于第一腔体1中通过第一热丝排组4镀膜一面，驱动组件6驱动载板3移动至第二腔体2中，第二热丝排组5为硅片镀膜另一面；所述第一腔体1和第二腔体2是两种热丝排组与载板相对位置不同的腔体，所述第一热丝排组4与第二热丝排组5相对于载板的位置不同，分别对应镀载板3的正面和背面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌大学共青城光氢储技术研究院 一种双面镀膜HWCVD设备的镀膜腔体

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