申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2022-11-11

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115600434A

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;G06F17/10;G06F111/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本发明提出了一种单粒子烧毁模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的碰撞电离系数、晶格温度、电场强度和电流密度参数；根据所述碰撞电离系数和所述晶格温度确定碰撞电离参数；根据所述碰撞电离参数和所述电场强度确定电子电离参数和空穴电离参数；根据所述电子电离参数、所述空穴电离参数、所述电流密度参数和预设电子‑空穴对局域生成率模型模拟电子‑空穴对局域生成率。本发明的有益效果：通过模拟单粒子入射时的电子‑空穴对生成率，实现了在模拟仿真器件发生单粒子效应时产生的碰撞电离，进而仿真由于单个高能粒子入射到半导体器件发生单粒子烧毁。

主权项：1.一种单粒子烧毁模拟方法，其特征在于，包括：获取预设的粒子入射的碰撞电离系数、晶格温度、电场强度和电流密度参数；根据所述碰撞电离系数和所述晶格温度确定碰撞电离参数；根据所述碰撞电离参数和所述电场强度确定电子电离参数和空穴电离参数；根据所述电子电离参数、所述空穴电离参数、所述电流密度参数和预设电子-空穴对局域生成率模型模拟电子-空穴对局域生成率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种单粒子烧毁模拟方法

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