申请/专利权人：瓦里安半导体设备公司

申请日：2018-08-17

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111108580B

主分类号：H01J37/317

分类号：H01J37/317

优先权：["20170908 US 15/699,255"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.05.29#实质审查的生效;2020.05.05#公开

摘要：一种用于离子植入的装置、系统及方法，所述用于离子植入的装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。

主权项：1.一种用于离子植入的装置，包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压，其中所述电极系统包括出射电极总成，所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开，其中所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小，其中所述第一出射电极及所述第二出射电极保持处于接地电势。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瓦里安半导体设备公司 用于离子植入的装置、系统及方法

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